钛媒体1月27日消息，据韩媒报道，三星电子今年预计将进行35万亿韩元(316亿美元)半导体投资，相较2020年增长20%。其中，存储半导体预计投资24万亿韩元(217亿美元)，晶圆代工领域预计投资11万亿韩元，据悉此次投资将主要集中在西安二期工厂和平泽P2工厂。西安二期为NAND Flash工厂，目前已订购的设备将在今年6-7月交付，建成后合计月产12万片，约占三星电子全球产量的40%。

　　平泽P2工厂为NAND Flash、DRAM和晶圆代工混合产线，产线扩充之后预计NAND Flash月产能将增加18-30K；DRAM月产能将增加30-60K；晶圆代工产能增加20K。

　　报道称，三星电子已经开始订购相关半导体设备，其中还包括生产DDR5芯片的检测设备，三星电子于去年2月份宣布成功研发DDR5芯片，预计今年下半年开始量产。

（文章来源：钛媒体）